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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7413TRPBF
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IRF7413TRPBF

更新时间： 2024-11-20 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 263K
描述
fast suitching

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IRF7413TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：260 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：58 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7413TRPBF 数据手册

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PD - 95017C  
IRF7413PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l GenerationVTechnology  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-ChannelMosfet  
l SurfaceMount  
l AvailableinTape&Reel  
l Dynamicdv/dtRating  
l Fast Switching  
A
A
1
2
3
4
8
7
S
S
S
G
D
VDSS = 30V  
D
6
5
D
D
l 100% RG Tested  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0.011Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation  
of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount  
application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max  
Units  
VDS  
30  
± 20  
13  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
9.2  
58  
A
DM  
P
@TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
mW/°C  
mJ  
D
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energency  
0.02  
260  
E
AS  
V/ns  
°C  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt  
5.0  
J, TSTG  
T
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Thermal Resistance Ratings  
Symbol  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ  
–––  
Max  
20  
Units  
RθJL  
RθJA  
°C/W  
–––  
50  
www.irf.com  
1
02/11/08  
1234567...9

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IRF7413TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7413PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
IRF7805PBF INFINEON

类似代替

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IRF7413ZPBF INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7413TRPBF-1 INFINEON

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IRF7413Z INFINEON

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IRF7413ZGPBF INFINEON

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IRF7413ZPBF INFINEON

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IRF7413ZTR INFINEON

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IRF7416PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET

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