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IRF7413ZUPBF

更新时间： 2024-02-25 22:19:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管放大器
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HEXFT Power MOSFET

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IRF7413ZUPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZUPBF 数据手册

PD - 96069A

IRF7413ZUPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Control FET for Notebook Processor

V_DSS

30V

R_DS(on)max

10m @V_GS= 10V

I_D

13A

Power

l Control and Synchronous Rectifier

MOSFET for Graphics Cards and POL

Converters in Computing, Networking

and Telecommunication Systems

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

l Very Low R_DS(on)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 100%TestedforR_G

l Lead-Free

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

100

2.5

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.6

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θ

–––

Notes through are on page 10

www.irf.com

09/14/06

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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