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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 32 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7413ZPBF | INFINEON |
类似代替  |
Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier |
|
| IRF7413Z | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7413ZUPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFT Power MOSFET |
|
| IRF7413ZUTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7416 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm) |
|
| IRF7416PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7416PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF7416QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7416QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IRF7416TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7416TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IRF7416TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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