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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7341TRPBF
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IRF7341TRPBF

更新时间： 2024-09-17 12:03:31
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 163K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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IRF7341TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.68其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 A
最大漏极电流 (ID)：5.1 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7341TRPBF 数据手册

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PD -95199  
IRF7341PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N-Channel Mosfet  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
1
2
3
4
8
S1  
G1  
S2  
D1  
VDSS = 55V  
7
D1  
6
D2  
5
D2  
G2  
RDS(on) = 0.050Ω  
l Lead-Free  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
55  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
Power Dissipation  
4.7  
3.8  
A
38  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 70°C  
2.0  
W
Power Dissipation  
1.3  
Linear Derating Factor  
0.016  
± 20  
30  
W/°C  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
V
V
VGSM  
EAS  
Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
72  
dv/dt  
TJ, TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
5.0  
V/ns  
°C  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
Typ.  
–––  
Max.  
62.5  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
11/9/04  
1234567

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IRF7341TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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