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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7350TR
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IRF7350TR

更新时间： 2024-10-30 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
16页 238K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8

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PD - 94226B  
IRF7350  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Surface Mount  
N -C H A N N EL M O S FE T  
N-Ch P-Ch  
1
8
D 1  
D 1  
S1  
G 1  
2
7
VDSS 100V -100V  
l Available in Tape and Reel  
3
4
6
5
S2  
D 2  
D 2  
G 2  
P -C H A N N E L M O S F E T  
RDS(on) 0.21Ω 0.48Ω  
Top View  
Description  
These dual N and P channel HEXFET® power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching  
speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are  
well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in DC motor drives and load management applications.  
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced  
thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety  
of power applications. With these improvements, multiple devices can be  
used in an application with dramatically reduced board space. The package  
is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
-100  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
100  
2.1  
1.7  
8.4  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
-1.5  
A
-1.2  
-6.0  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
W
W/°C  
mJ  
Linear Derating Factor  
0.016  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
35  
± 20  
4.0  
51  
± 20  
4.3  
VGS  
V
dv/dt  
TJ, TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
V/ns  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient ƒ  
–––  
62.5  
°C/W  
www.irf.com  
1
08/09/01  
1234567...16

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与IRF7350TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7350TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
IRF7351 INFINEON

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 		60V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
IRF7351PBF INFINEON

获取价格

 		Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters
IRF7351TR UMW

获取价格

 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF7351TRPBF INFINEON

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 		Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters
IRF7353D1 INFINEON

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IRF7353D1PBF INFINEON

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IRF7353D1TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7353D1TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7353D2 INFINEON

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