IRF7343QTRPBF

更新时间： 2024-09-17 13:08:47

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Transistor,

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IRF7343QTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

IRF7343QTRPBF 数据手册

PD-91709

IRF7343

HEXFET^®Power MOSFET

l Generation V Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dual N and P Channel MOSFET

l Surface Mount

N -C H A N N EL M O S FE T

N-Ch P-Ch

D 1

G 1

V_DSS55V

-55V

D 2

l Fully Avalanche Rated

G 2

P -C H A N N E L M O S F E T

R_DS(on)0.050Ω 0.105Ω

Description

Top View

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use

in a wide variety of applications.

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of

power applications. With these improvements,

multiple devices can be used in an application with

dramatically reduced board space. The package is

designed for vapor phase, infra red, or wave soldering

techniques.

S O -8

Absolute Maximum Ratings

Max.

Parameter

N-Channel

P-Channel

-55

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

4.7

3.8

I_D@ T_A= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

-3.4

I_D@ T_A= 70°C

-2.7

I_DM

-27

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation ꢀ

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

2.0

1.3

E_AS

114

-3.4

I_AR

4.7

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt

0.20

± 20

V/ns

°C

V_GS

dv/dt

T_J,T_STG

5.0

-5.0

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ꢀ

Typ.

–––

Max.

62.5

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

2/24/99

12 3 4 5 6 7...10

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与IRF7343QTRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7343TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
IRF7343TR	UMW	获取价格	种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 55V P：-55V;持续漏极电
IRF7343TRPBF	INFINEON	获取价格	generation v technology
IRF734PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF734S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4.9A I(D) \| TO-220AB
IRF734STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7350	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=+-100V)
IRF7350PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7350TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
IRF7350TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe

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