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IRF7342QTRPBF PDF预览

IRF7342QTRPBF

更新时间： 2024-11-07 12:56:27
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
Advanced Process Technology

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IRF7342QTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.1最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

IRF7342QTRPBF 数据手册

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PD - 96109A  
IRF7342QPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dual P Channel MOSFET  
Surface Mount  
Available in Tape & Reel  
150°C Operating Temperature  
Lead-Free  
1
2
3
4
8
S1  
G1  
S2  
D1  
VDSS = -55V  
7
D1  
6
D2  
5
D2  
G2  
RDS(on) = 0.105Ω  
Top View  
Description  
TheseHEXFET® PowerMOSFET'sinaDualSO-8package  
utilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremely  
low on-resistance per silicon area. Additional features of  
these HEXFET Power MOSFET's are a 150°C junction  
operating temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating. These benefits combine to  
make this design an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
The efficient SO-8 package provides enhanced thermal  
characteristics and dual MOSFET die capability making it  
ideal in a variety of power applications. This dual, surface  
mount SO-8 can dramatically reduce board space and is  
also available in Tape & Reel.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
-55  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
Power Dissipation  
-3.4  
-2.7  
A
-27  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 70°C  
2.0  
W
Power Dissipation  
1.3  
Linear Derating Factor  
0.016  
± 20  
30  
W/°C  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
V
V
VGSM  
EAS  
Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
114  
dv/dt  
TJ, TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
5.0  
V/ns  
°C  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
Typ.  
–––  
Max.  
62.5  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
08/03/10  
1234567

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IRF7342QTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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AUIRF7342QTR INFINEON

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 Advanced Planar Technology Low On-Resistance
IRF7342PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) =

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7342TR INFINEON

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IRF7342TR UMW

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 		种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25
IRF7342TRPBF INFINEON

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