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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPG20N06S2L-35
IPG20N06S2L-35 PDF预览

IPG20N06S2L-35

更新时间： 2024-11-05 05:39:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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IPG20N06S2L-35 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPG20N06S2L-35 数据手册

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IPG20N06S2L-35  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
55  
35  
20  
V
4)  
mΩ  
A
R DS(on),max  
I D  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-4  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N06S2L-35  
PG-TDSON-8-4 2N06L35  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active2)  
T C=25 °C, VGS=10 V1)  
T C=100 °C, VGS=10 V  
I D  
20  
20  
80  
A
Pulsed drain current2)  
one channel active  
I D,pulse  
-
Avalanche energy, single pulse2, 4)  
Avalanche current, single pulse4)  
Gate source voltage  
EAS  
I AS  
I D=10A  
100  
15  
mJ  
A
-
VGS  
-
±20  
V
Power dissipation  
one channel active  
Ptot  
T C=25 °C  
65  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
-
Rev. 1.0  
page 1  
2009-09-07  
1234567...9

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