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IPG20N06S2L65ATMA1

更新时间： 2024-11-05 21:13:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S2L65ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-FReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.58雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPG20N06S2L65ATMA1 数据手册

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IPG20N06S2L-65  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
55  
65  
20  
V
3)  
mΩ  
A
R DS(on),max  
I D  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-4  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N06S2L-65  
PG-TDSON-8-4 2N06L65  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
20  
14  
80  
A
T C=100 °C, VGS=10 V  
Pulsed drain current1)  
one channel active  
I D,pulse  
-
Avalanche energy, single pulse1, 3)  
Avalanche current, single pulse3)  
Gate source voltage  
EAS  
I AS  
I D=10A  
40  
15  
mJ  
A
-
VGS  
-
±20  
V
Power dissipation  
one channel active  
Ptot  
T C=25 °C  
43  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
-
Rev. 1.0  
page 1  
2009-09-07  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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