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IPG20N06S415AATMA1

更新时间： 2024-01-20 17:22:56

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	275K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S415AATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.71	雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.0155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPG20N06S415AATMA1 数据手册

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IPG20N06S4-15A

OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

15.5

R_DS(on),max

I_D

Features

• Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode

PG-TDSON-8-10

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Feasible for automatic optical inspection (AOI)

Type

Package

Marking

4N0615

IPG20N06S4-15A

PG-TDSON-8-10

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current

one channel active

T _C=25 °C, V _GS=10 V¹⁾

I _D

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

one channel active

I _D,pulse

Avalanche energy, single pulse^{2, 4)}

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

E _AS

I _AS

I _D=10A

V _GS

±20

Power dissipation

one channel active

P _tot

T _C=25 °C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.0

page 1

2015-09-17

12 3 4 5 6 7...9

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