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IPI032N06N3G

更新时间： 2024-11-18 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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11页	478K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

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IPI032N06N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	235 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	188 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI032N06N3G 数据手册

Type

IPB029N06N3 G IPI032N06N3 G

IPP032N06N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

2.9

120

Features

R _{DS(on),max (SMD)}

I _D

mΩ

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R_DS(on)

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB029N06N3 G

IPI032N06N3 G

IPP032N06N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

029N06N

PG-TO262-3

032N06N

PG-TO220-3

032N06N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

120

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

480

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

235

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

188

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 175

55/175/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Current is limited by bondwire; with anR _thJC=0.8 K/W the chip is able to carry 188 A.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2

page 1

2009-12-11

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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