5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.036 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N10S436AATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPG20N10S4L-22 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPG20N10S4L-22A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPG20N10S4L22AATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPG20N10S4L22ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPG20N10S4L-35 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPG20N10S4L-35A | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPG20N10S4L35ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPI020N06N | INFINEON |
获取价格 |
New OptiMOS⢠40V and 60V |
|
| IPI023NE7N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
