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IPG20N10S4-36A

更新时间： 2024-01-29 10:48:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	270K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TDSON-8-10, 8 PIN

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IPG20N10S4-36A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPG20N10S4-36A 数据手册

IPG20N10S4-36A

OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

100

R_DS(on),max4)

I_D

Features

• Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode

PG-TDSON-8-10

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Feasible for automatic optical inspection (AOI)

Type

Package

Marking

4N1036

IPG20N10S4-36A

PG-TDSON-8-10

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current

one channel active

T _C=25 °C, V _GS=10 V¹⁾

I _D

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

one channel active

I _D,pulse

Avalanche energy, single pulse^{2, 4)}

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

E _AS

I _AS

I _D=10A

V _GS

±20

Power dissipation

one channel active

P _tot

T _C=25 °C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.1

page 1

2015-04-13

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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