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IPG20N10S4-36A PDF预览

IPG20N10S4-36A

更新时间： 2024-11-05 20:00:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 270K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TDSON-8-10, 8 PIN

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IPG20N10S4-36A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPG20N10S4-36A 数据手册

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IPG20N10S4-36A  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
100  
36  
V
RDS(on),max4)  
mW  
A
ID  
20  
Features  
• Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-10  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Feasible for automatic optical inspection (AOI)  
Type  
Package  
Marking  
4N1036  
IPG20N10S4-36A  
PG-TDSON-8-10  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active  
T C=25 °C, V GS=10 V1)  
I D  
20  
17  
80  
A
T C=100 °C,  
V GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
one channel active  
I D,pulse  
-
Avalanche energy, single pulse2, 4)  
Avalanche current, single pulse4)  
Gate source voltage  
E AS  
I AS  
I D=10A  
60  
15  
mJ  
A
-
V GS  
-
±20  
V
Power dissipation  
one channel active  
P tot  
T C=25 °C  
43  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
°C  
Rev. 1.1  
page 1  
2015-04-13  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPG20N10S436AATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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