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IPG20N10S4L22ATMA1

更新时间： 2024-11-05 20:40:03

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPG20N10S4L22ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.64	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPG20N10S4L22ATMA1 数据手册

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IPG20N10S4L-22

OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

100

R_DS(on),max

mΩ

I_D

Features

• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

PG-TDSON-8-4

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPG20N10S4L-22

PG-TDSON-8-4 4N10L22

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current

one channel active¹⁾

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

T _C=100°C, V_GS=10V²⁾

Pulsed drain current²⁾

one channel active

I _D,pulse

Avalanche energy, single pulse^{2, 4)}

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

E_AS

I _AS

I _D=10A

130

V_GS

±16

Power dissipation

one channel active

P_tot

T _C=25°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.1

page 1

2013-01-30

12 3 4 5 6 7...9

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