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IPI040N06N3GXKSA1

更新时间： 2024-09-24 19:43:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	999K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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IPI040N06N3GXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.44	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI040N06N3GXKSA1 数据手册

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Features

Product Summary

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IPI040N06N3GXKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPI040N06N3G	INFINEON	功能相似	OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.

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IPI045N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
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IPI04CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPI04CN10NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI04N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI04N03LA_07	INFINEON	获取价格	OptiMOS®2 Power-Transistor
IPI051N15N5	INFINEON	获取价格	英飞凌推出的 OptiMOS?5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等

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