5秒后页面跳转
IPI040N06N3GXKSA1 PDF预览

IPI040N06N3GXKSA1

更新时间: 2024-11-05 19:43:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 999K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

IPI040N06N3GXKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.44其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):165 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A
最大漏极电流 (ID):90 A最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPI040N06N3GXKSA1 数据手册

 浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB037N06N3 G IPI040N06N3 G  
IPP040N06N3 G  
"%&$!"#3 Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
V 9H  
.(  
+&/  
1(  
J
R  ,ꢄ? >ꢅꢁ=1G ꢄ,&    
I 9  
P 6? A BH>3  A53 C9693 1C9? >ꢁ 4A9E5B 1>4 43 ꢂ43 ,& ),  
P  G3 5<<5>C 71C5 3 81A75 G R 9H"[Z# @A? 4D3 C  ( &   
P .5AH <? F ? >ꢆA5B9BC1>3 5 R 9H"[Z#  
Y"  
6
@A5E9? DB 5>79>55A9>7  
B1=@<5 3 ? 45Bꢗ  
?EE(,cC(.C  
P ' ꢆ3 81>>5<ꢁ >? A=1< <5E5<  
?E?(,cC(.C  
P  E1<1>3 85 A1C54  
?E7(,cC(.C  
P * D1<96954 13 3 ? A49>7 C? $     )# 6? A C1A75C 1@@<93 1C9? >B  
P )2 ꢆ6A55 @<1C9>7ꢊ + ? " , 3 ? =@<91>C  
P " 1<? 75>ꢆ6A55 13 3 ? A49>7 C? #ꢃ       ꢆꢍ ꢆꢍ   
Type  
#)ꢖ    '   '  !  
#)#ꢒ   '   '  !  
#))ꢒ   '   '  !  
Package  
Marking  
E=%ID*.+%+  
(+/C(.C  
E=%ID*.*%+  
(,(C(.C  
E=%ID**(%+  
(,(C(.C  
Maximum ratings, 1C T V   Sꢉ  D><5BB ? C85AF9B5 B@53 96954  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T 8   Sꢉ *#  
I 9  
 ? >C9>D? DB 4A19> 3 DAA5>C  
1(  
1(  
6
T 8    Sꢉ  
)D<B54 4A19> 3 DAA5>C+#  
I 9$\`X^Q  
E 6H  
T 8   Sꢉ  
I 9     R =H   "  
+.(  
 E1<1>3 85 5>5A7Hꢁ B9>7<5 @D<B5  
!1C5 B? DA3 5 E? <C175  
).-  
Y@  
J
V =H  
p*(  
P _[_  
T 8   Sꢉ  
)? F5A 49BB9@1C9? >  
)00  
K
Sꢉ  
T V T ^_S  
( @5A1C9>7 1>4 BC? A175 C5=@5A1CDA5  
#ꢃ  3 <9=1C93 3 1C57? AHꢊ  #' #ꢃ    ꢆꢌ  
)#$ ꢆ,-ꢈ   1>4 $  ,ꢈ    
ꢆꢑ  ꢀꢀꢀ     
  ꢂꢌ   ꢂꢑ   
*#  DAA5>C 9B <9=9C54 2 H 2 ? >4F9A5ꢊ F9C8 1>R _T@8  ꢀꢔ % ꢂ/ C85 3 89@ 9B 12 <5 C? 3 1AAH       
+# ,55 69SDA5   
,#  5E93 5 ? >   == G   == G  ꢀꢑ == 5@? GH )ꢉ    +  F9C8  3 = ꢄ? >5 <1H5Aꢁ   V = C893 ;ꢅ 3 ? @@5A 1A51 6? A 4A19>  
3 ? >>53 C9? >ꢀ )ꢉ  9B E5AC93 1< 9> BC9<< 19Aꢀ  
*
+ 5Eꢀ  ꢀꢒ   
@175   
    ꢆꢌ  ꢆꢌ   

IPI040N06N3GXKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPI040N06N3G INFINEON

功能相似

OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.

与IPI040N06N3GXKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPI041N12N3 G INFINEON

获取价格

120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实
IPI041N12N3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPI041N12N3GAKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI045N10N3 G INFINEON

获取价格

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPI045N10N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPI04CN10NG INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
IPI04CN10NGXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI04N03LA INFINEON

获取价格

OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI04N03LA_07 INFINEON

获取价格

OptiMOS®2 Power-Transistor
IPI051N15N5 INFINEON

获取价格

英飞凌推出的 OptiMOS?5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等