Datasheet > IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

更新时间： 2024-11-18 19:43:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	999K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPI040N06N3GXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.44	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI040N06N3GXKSA1 数据手册

浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IPI040N06N3GXKSA1的Datasheet PDF文件第7页

Id\Q

IPB037N06N3 G IPI040N06N3 G

IPP040N06N3 G

"%&$!"#^™3 Power-Transistor

Features

Product Summary

V _9H

+&/

R _{ꢈ ,ꢄ? >ꢅꢁ=1G ꢄ,& ꢈ ꢅ}

I ₉

P 6? A BH>3 ꢀ A53 C9693 1C9? >ꢁ 4A9E5B 1>4 43 ꢂ43 ,& ),

P ꢃ G3 5<<5>C 71C5 3 81A75 G R _9H"[Z#@A? 4D3 C ꢄ ( & ꢅ

P .5AH <? F ? >ꢆA5B9BC1>3 5 R _9H"[Z#

@A5E9? DB 5>79>55A9>7

B1=@<5 3 ? 45Bꢗ

?EE(,cC(.C

P ' ꢆ3 81>>5<ꢁ >? A=1< <5E5<

?E?(,cC(.C

P ꢇ E1<1>3 85 A1C54

?E7(,cC(.C

P * D1<96954 13 3 ? A49>7 C? $ ꢃ ꢈ ꢃ ꢉ ^)#6? A C1A75C 1@@<93 1C9? >B

P )2 ꢆ6A55 @<1C9>7ꢊ + ? " , 3 ? =@<91>C

P " 1<? 75>ꢆ6A55 13 3 ? A49>7 C? #ꢃ ꢉ ꢋ ꢌ ꢍ ꢎ ꢏ ꢆꢍ ꢆꢍ ꢌ

Type

#)ꢖ ꢒ ꢕ ꢓ ' ꢒ ꢋ ' ꢕ !

#)#ꢒ ꢎ ꢒ ' ꢒ ꢋ ' ꢕ !

#))ꢒ ꢎ ꢒ ' ꢒ ꢋ ' ꢕ !

Package

Marking

E=%ID*.+%+

(+/C(.C

E=%ID*.*%+

(,(C(.C

E=%ID**(%+

(,(C(.C

Maximum ratings, 1C T _Vꢐ ꢍ ꢑ Sꢉ ꢁ D><5BB ? C85AF9B5 B@53 96954

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T ₈ꢐ ꢍ ꢑ Sꢉ ^*#

I ₉

ꢉ ? >C9>D? DB 4A19> 3 DAA5>C

T ₈ꢐ ꢌ ꢒ ꢒ Sꢉ

)D<B54 4A19> 3 DAA5>C^+#

I _9$\`X^Q

E _6H

T ₈ꢐ ꢍ ꢑ Sꢉ

I ₉ꢐ ꢏ ꢒ ꢇ ꢁ R _=Hꢐ ꢍ ꢑ "

+.(

ꢇ E1<1>3 85 5>5A7Hꢁ B9>7<5 @D<B5

!1C5 B? DA3 5 E? <C175

).-

V _=H

p*(

P _{_[_}

T ₈ꢐ ꢍ ꢑ Sꢉ

)? F5A 49BB9@1C9? >

)00

Sꢉ

T _Vꢁ T _{^_S}

( @5A1C9>7 1>4 BC? A175 C5=@5A1CDA5

#ꢃ ꢉ 3 <9=1C93 3 1C57? AHꢊ ꢈ #' #ꢃ ꢉ ꢋ ꢔ ꢆꢌ

^)#$ ꢆ,-ꢈ ꢍ ꢒ 1>4 $ ꢃ ,ꢈ ꢍ ꢍ

ꢆꢑ ꢑ ꢀꢀꢀ ꢌ ꢓ ꢑ

ꢑ ꢑ ꢂꢌ ꢓ ꢑ ꢂꢑ ꢋ

^*#ꢉ DAA5>C 9B <9=9C54 2 H 2 ? >4F9A5ꢊ F9C8 1>R _{_T@8}ꢐ ꢒ ꢀꢔ % ꢂ/ C85 3 89@ 9B 12 <5 C? 3 1AAH ꢌ ꢋ ꢍ ꢇ ꢀ

^+#,55 69SDA5 ꢕ

^,#ꢈ 5E93 5 ? > ꢎ ꢒ == G ꢎ ꢒ == G ꢌ ꢀꢑ == 5@? GH )ꢉ ꢖ + ꢎ F9C8 ꢋ 3 = ꢄ? >5 <1H5Aꢁ ꢓ ꢒ V = C893 ;ꢅ 3 ? @@5A 1A51 6? A 4A19>

3 ? >>53 C9? >ꢀ )ꢉ ꢖ 9B E5AC93 1< 9> BC9<< 19Aꢀ

+ 5Eꢀ ꢌ ꢀꢒ ꢕ

@175 ꢌ

ꢍ ꢒ ꢒ ꢏ ꢆꢌ ꢍ ꢆꢌ ꢓ

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

IPI040N06N3GXKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPI040N06N3G	INFINEON	功能相似	OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.

与IPI040N06N3GXKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPI041N12N3 G	INFINEON	获取价格	120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实
IPI041N12N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPI041N12N3GAKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI045N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPI045N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPI04CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
IPI04CN10NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI04N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI04N03LA_07	INFINEON	获取价格	OptiMOS®2 Power-Transistor
IPI051N15N5	INFINEON	获取价格	英飞凌推出的 OptiMOS?5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等

与IPI040N06N3GXKSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1 技术参数

IPI040N06N3GXKSA1 数据手册

IPI040N06N3GXKSA1 替代型号

与IPI040N06N3GXKSA1相关器件

与IPI040N06N3GXKSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1 技术参数

IPI040N06N3GXKSA1 数据手册

IPI040N06N3GXKSA1 替代型号

与IPI040N06N3GXKSA1相关器件

与IPI040N06N3GXKSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？