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IPI045N10N3 G

更新时间： 2024-11-19 11:12:11

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	1056K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

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IPI045N10N3 G 数据手册

IPI045N10N3ꢀG

MOSFET

OptiMOS^ª3ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

I²-PAK

Features

tab

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

100

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

I_D

4.5

mΩ

Source

Pin 3

137

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPI045N10N3 G

PG-TO 262-3

045N10N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.10,ꢀꢀ2019-01-10

12 3 4 5 6 7...10

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