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IPI06CN10NGHKSA1

更新时间： 2024-11-18 18:19:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	770K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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IPI06CN10NGHKSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	480 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI06CN10NGHKSA1 数据手册

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IPP06CN10N G

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Product Summary

Features

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Type

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Parameter

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