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IPI075N15N3 G

更新时间: 2024-11-19 14:56:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 1077K
描述
与次优竞品相比,150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%,品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性,如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS? 部件有效替换两个原有部件。

IPI075N15N3 G 数据手册

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IPI075N15N3ꢀG  
MOSFET  
OptiMOSª3ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV  
I²-PAK  
Features  
tab  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
1
2
3
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
Unit  
VDS  
150  
V
Gate  
Pin 1  
RDS(on)  
ID  
7.5  
m  
A
Source  
Pin 3  
120  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPI075N15N3 G  
PG-TO 262-3  
075N15N  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2019-02-04  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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