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IPI075N15N3 G

更新时间： 2024-04-02 21:14:51

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1077K
描述
与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS? 部件有效替换两个原有部件。

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IPI075N15N3 G 数据手册

IPI075N15N3ꢀG

MOSFET

OptiMOS^ª3ꢀPower-Transistor,ꢀ150ꢀV

I²-PAK

Features

tab

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

150

Gate

Pin 1

R_DS(on)

I_D

7.5

mΩ

Source

Pin 3

120

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPI075N15N3 G

PG-TO 262-3

075N15N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2019-02-04

12 3 4 5 6 7...11

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