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IPI100N08N3G

更新时间： 2024-02-26 05:00:45

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	497K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

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IPI100N08N3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI100N08N3G 数据手册

IPP100N08N3 G IPI100N08N3 G

IPB097N08N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

9.7

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

R _{DS(on),max (SMD)}

I _D

mΩ

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPP100N08N3 G

IPI100N08N3 G

IPB097N08N3 G

Package

Marking

PG-TO220-3

100N08N

PG-TO262-3

100N08N

PG-TO263-3

097N08N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

280

Avalanche energy, single pulse³⁾

Gate source voltage

I _D=46 A, R _GS=25 Ω

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

100

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 175

55/175/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3 for more detailed information

³⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2

page 1

2010-01-21

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPI100N10S3-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPI100N10S305AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI100N12S3-05	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
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