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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 225 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 91 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0099 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI070N06NG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPI070N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPI072N10N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI075N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPI075N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPI075N15N3-G | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor |
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| IPI076N12N3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS? 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实 |
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| IPI076N12N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPI076N12N3GAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI076N15N5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 150V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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