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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1445 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0051 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI100N12S3-05 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPI100N12S305AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI100P03P3L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-P Trench Power-Transistor |
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| IPI110N20N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPI111N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPI111N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPI11N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI120N04S3-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPI120N04S302AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI120N04S4-01 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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