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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0062 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 214 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP100N06S3L-04 | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI100N08N3G | INFINEON |
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| IPI100N08N3GHKSA1 | INFINEON |
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| IPI100N08S2-07 | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPI100N10S3-05 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPI100N10S305AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI100N12S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPI100N12S305AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI100P03P3L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-P Trench Power-Transistor |
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| IPI110N20N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPI111N15N3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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