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IPI086N10N3 G

更新时间： 2024-11-20 14:56:19

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	1045K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

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IPI086N10N3 G 数据手册

IPI086N10N3ꢀG

MOSFET

OptiMOS^ª3ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

I²-PAK

Features

tab

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

8.6

Unit

V_DS

Gate

Pin 1

R_DS(on)

I_D

mΩ

Source

Pin 3

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPI086N10N3 G

PG-TO 262-3

086N10N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.7,ꢀꢀ2019-02-08

12 3 4 5 6 7...10

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