Datasheet > IPI070N08N3G

IPI070N08N3G

更新时间： 2024-11-18 11:08:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1023K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPI070N08N3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0067 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	136 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI070N08N3G 数据手册

IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G

IPB067N08N3 G

"%&$!"#^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _9H

.&/

Q #451< 6? B 8978 6B5AE5>3 I CG9D3 89>7 1>4 CI>3 ꢀ B53 ꢀ

Q ( @D9=9J54 D53 8>? <? 7I 6? B ꢁ ꢂ ꢃꢁ ꢂ 3 ? >F5BD5BC

Q ꢄ H3 5<<5>D 71D5 3 81B75 H R _9H"[Z#@B? 4E3 D ꢅ ( & ꢆ

R _{ꢁ ,ꢅ? >ꢆꢈ=1H ꢅ,& ꢁ ꢆ}

I ₉

Q ' ꢇ3 81>>5<ꢈ >? B=1< <5F5<

Q ꢉ ꢊ ꢊ ꢋ 1F1<1>3 85 D5CD54

Q )2 ꢇ6B55 @<1D9>7ꢌ + ? " , 3 ? =@<91>D

Q * E1<96954 13 3 ? B49>7 D? $ ꢄ ꢁ ꢄ ꢂ ^)#6? B D1B75D 1@@<93 1D9? >C

Q " 1<? 75>ꢇ6B55 13 3 ? B49>7 D? #ꢄ ꢂ ꢍ ꢉ ꢎ ꢏ ꢐ ꢇꢎ ꢇꢎ ꢉ

Type

#))ꢊ ꢔ ꢊ ' ꢊ ꢖ ' ꢕ !

#)#ꢊ ꢔ ꢊ ' ꢊ ꢖ ' ꢕ !

#)ꢗ ꢊ ꢍ ꢔ ' ꢊ ꢖ ' ꢕ !

Package

Marking

E=%ID**(%+

(/(C(0C

E=%ID*.*%+

(/(C(0C

E=%ID*.+%+

(./C(0C

Maximum ratings, 1D T _Vꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ꢈ E><5CC ? D85BG9C5 C@53 96954

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ^*#

I ₉

ꢂ ? >D9>E? EC 4B19> 3 EBB5>D

T ₈ꢑ ꢉ ꢊ ꢊ Tꢂ

)E<C54 4B19> 3 EBB5>D^*#

I _{9$\aX_Q}

E _6H

T ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ

I ₉ꢑ ꢔ ꢕ ꢓ ꢈ R _=Hꢑ ꢎ ꢒ "

+*(

ꢓ F1<1>3 85 5>5B7Iꢈ C9>7<5 @E<C5^+#

!1D5 C? EB3 5 F? <D175

)-(

V _=H

q*(

P _`[`

T ₈ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ

)? G5B 49CC9@1D9? >

)+.

Tꢂ

T _Vꢈ T _{_`S}

( @5B1D9>7 1>4 CD? B175 D5=@5B1DEB5

ꢇꢒ ꢒ ꢀꢀꢀ ꢉ ꢔ ꢒ

ꢒ ꢒ ꢃꢉ ꢔ ꢒ ꢃꢒ ꢍ

#ꢄ ꢂ 3 <9=1D93 3 1D57? BIꢌ ꢁ #' #ꢄ ꢂ ꢍ ꢖ ꢇꢉ

^)#$ ꢇ,-ꢁ ꢎ ꢊ 1>4 $ ꢄ ,ꢁ ꢎ ꢎ

^*#,55 697EB5 ꢕ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >

^+#,55 697EB5 ꢉ ꢕ 6? B =? B5 45D19<54 9>6? B=1D9? >

+ 5Fꢀ ꢎ ꢀꢕ

@175 ꢉ

ꢎ ꢊ ꢉ ꢊ ꢇꢊ ꢉ ꢇꢉ ꢖ

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

IPI070N08N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP80N08S2L-07	INFINEON	功能相似	OptiMOS㈢ Power-Transistor

与IPI070N08N3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPI072N10N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPI075N15N3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
IPI075N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPI075N15N3-G	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor
IPI076N12N3 G	INFINEON	获取价格	120V OptiMOS? 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实
IPI076N12N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPI076N12N3GAKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI076N15N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 150V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI076N15N5AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 150V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI086N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM

与IPI070N08N3G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPI070N08N3G

IPI070N08N3G 技术参数

IPI070N08N3G 数据手册

IPI070N08N3G 替代型号

与IPI070N08N3G相关器件

与IPI070N08N3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPI070N08N3G

IPI070N08N3G 技术参数

IPI070N08N3G 数据手册

IPI070N08N3G 替代型号

与IPI070N08N3G相关器件

与IPI070N08N3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？