Datasheet > IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1

更新时间： 2024-11-21 21:10:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	491K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPI076N12N3GAKSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	120 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0076 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI076N12N3GAKSA1 数据手册

浏览型号IPI076N12N3GAKSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IPI076N12N3GAKSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IPI076N12N3GAKSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IPI076N12N3GAKSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IPI076N12N3GAKSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IPI076N12N3GAKSA1的Datasheet PDF文件第7页

IPI076N12N3 G IPP076N12N3 G

Product Summary

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Features

V_DS

120

7.6

• N-channel, normal level

R_DS(on)max

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

100

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; halogen free

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPI076N12N3 G

IPP076N12N3 G

Package

Marking

PG-TO262-3

076N12N

PG-TO220-3

076N12N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

100

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

400

I _D=100 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

230

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

188

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 2.4

page 1

2013-09-25

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IPI076N12N3GAKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPI076N15N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 150V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI076N15N5AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 150V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPI086N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPI086N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent
IPI08CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI08CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI09N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI100N04S3-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPI100N04S4-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI100N04S4-H2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPI076N12N3GAKSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1 技术参数

IPI076N12N3GAKSA1 数据手册

与IPI076N12N3GAKSA1相关器件

与IPI076N12N3GAKSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1 技术参数

IPI076N12N3GAKSA1 数据手册

与IPI076N12N3GAKSA1相关器件

与IPI076N12N3GAKSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？