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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 690 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0046 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI100N06S3L03AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI100N06S3L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPI100N08N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for |
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| IPI100N08N3GHKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPI100N08S2-07 | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPI100N10S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPI100N10S305AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI100N12S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPI100N12S305AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPI100P03P3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Trench Power-Transistor |
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