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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0021 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI120N06S4-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPI120N06S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPI120N06S403AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI120N06S4-H1 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPI120N08S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI120N08S403AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI120N08S4-04 | INFINEON |
获取价格 |
? 仿真/ SPICE-型号 |
|
| IPI120N10S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPI120N10S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPI120N10S405AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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