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IPI200N15N3G

更新时间： 2024-01-19 21:24:29

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英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPI200N15N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	170 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPI200N15N3G 数据手册

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G

IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

150

• N-channel, normal level

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21 *

Type

IPB200N15N3 G

IPD200N15N3 G

IPI200N15N3 G

IPP200N15N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

200N15N

PG-TO252-3

200N15N

PG-TO262-3

200N15N

PG-TO220-3

200N15N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

200

170

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=120 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

150

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

* Except D-PAK ( TO-252 )

Rev. 2.05

page 1

2010-04-28

12 3 4 5 6 7...12

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IPI200N15N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP200N15N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent
IPB108N15N3G	INFINEON	功能相似	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPI200N25N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPI22N03S4L-15	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI25N06S3-25	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI25N06S3L-22	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI26CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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IPI35CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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