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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0209 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI50N12S3L-15 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPI50N12S3L15AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 120V, 0.0209ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPI50R140CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPI50R199CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPI50R250CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPI50R299CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPI50R350CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPI50R350CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPI50R380CE | INFINEON |
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500V CoolMOS CE Power Transistor |
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| IPI50R399CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
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