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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.18 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 284 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI60R280C6XKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI60R299CP | INFINEON |
类似代替 |
CoolMOS Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI60R280C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI60R299CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPI60R299CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPI60R380C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| IPI60R385CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPI60R385CP_07 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPI60R520CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| IPI60R520CPAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPI60R600CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPI65R099C6 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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