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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 39 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI65R280E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPI65R280E6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPI65R310CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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| IPI65R380C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPI65R420CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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| IPI65R600C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPI65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor |
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| IPI70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPI70N04S4-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPI70N10S3-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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