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IPI70N10S3L12AKSA1

更新时间： 2024-11-23 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI70N10S3L12AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.72	Base Number Matches：	1

IPI70N10S3L12AKSA1 数据手册

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IPB70N10S3L-12

IPI70N10S3L-12, IPP70N10S3L-12

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V _DS

100

R _DS(on),max(SMD version)

I _D

Features

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

3N10L12

IPB70N10S3L-12

IPI70N10S3L-12

IPP70N10S3L-12

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C, V _GS=10 V

Continuous drain current

T _C=100 °C,

V _GS=10 V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=35A

280

410

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

I _AS

Gate source voltage²⁾

V _GS

±20

125

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

°C

Rev. 1.2

page 1

2012-05-10

12 3 4 5 6 7...9

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IPI70N10S3L12AKSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPI70N10S3L-12	INFINEON	类似代替	OptiMOS-T Power-Transistor
IPP70N10S3L-12	INFINEON	功能相似	OptiMOS-T Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPI70N12S311AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPI70N12S3L-12	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IPI70P04P4-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPI70R950CEXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPI77N06S3-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢-T Power-Transistor
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IPI80CN10NGAKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IPI80N03S4L03AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me