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IPI70N12S3L-12

更新时间： 2024-11-23 21:10:27

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Power Field-Effect Transistor

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IPI70N12S3L-12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPI70N12S3L-12 数据手册

IPB70N12S3L-12

IPI70N12S3L-12, IPP70N12S3L-12

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V_DS

120

11.8

R_DS(on),max(SMD version)

I_D

Features

• OptiMOS^TM- power MOSFET for automotive appilcations

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Type

Package

Marking

IPB70N12S3L-12

IPI70N12S3L-12

IPP70N12S3L-12

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

3N12L12

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

Continuous drain current

T _C=100 °C,

V_GS=10 V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

280

410

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=35A

I _AS

V_GS

±20

125

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.0

page 1

2016-06-20

12 3 4 5 6 7...9

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