5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPI70N12S311AKSA1
IPI70N12S311AKSA1 PDF预览

IPI70N12S311AKSA1

更新时间： 2024-11-23 19:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 353K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262-3-1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPI70N12S311AKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.8
雪崩能效等级（Eas）：410 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：120 V最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.0116 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPI70N12S311AKSA1 数据手册

 浏览型号IPI70N12S311AKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPI70N12S311AKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPI70N12S311AKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPI70N12S311AKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPI70N12S311AKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPI70N12S311AKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB70N12S3-11  
IPI70N12S3-11, IPP70N12S3-11  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
120  
11.3  
70  
V
RDS(on),max (SMD version)  
mW  
A
ID  
Features  
• OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applications  
• N-channel - Enhancement mode  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Type  
Package  
Marking  
3N1211  
3N1211  
3N1211  
IPB70N12S3-11  
IPI70N12S3-11  
IPP70N12S3-11  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
Continuous drain current  
70  
48  
A
T C=100 °C,  
VGS=10 V2)  
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
280  
410  
70  
Avalanche energy, single pulse1)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=35A  
mJ  
A
I AS  
-
VGS  
-
±20  
125  
V
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2016-06-20  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IPI70N12S311AKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPI70N12S3L-12 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IPI70P04P4-09 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPI70R950CEXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPI77N06S3-09 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI80CN10NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI80CN10NGAKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPI80N03S4L-03 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI80N03S4L03AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPI80N03S4L-04 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI80N03S4L04AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPI70N12S311AKSA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证