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IPI65R380C6

更新时间: 2024-11-23 11:08:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 2146K
描述
650V CoolMOS C6 Power Transistor

IPI65R380C6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):215 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10.6 A
最大漏极电流 (ID):10.6 A最大漏源导通电阻:0.38 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):29 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPI65R380C6 数据手册

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IPI65R380C6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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