是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.7 |
雪崩能效等级(Eas): | 215 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 10.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 83 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 29 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP11NM65N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ | |
IPP65R380C6 | INFINEON |
功能相似 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
STB14NM65N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Powe |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPI65R420CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor | |
IPI65R600C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
IPI65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor | |
IPI70N04S3-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPI70N04S4-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPI70N10S3-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPI70N10S312AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPI70N10S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPI70N10S3L12AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPI70N10SL-16 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |