5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 410 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0116 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPI70N10S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPI70N10S3L12AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI70N10SL-16 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| IPI70N12S311AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPI70N12S3L-12 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPI70P04P4-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPI70R950CEXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IPI77N06S3-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPI80CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPI80CN10NGAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
