5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 215 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 29 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP11NM65N | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ |
|
| IPI65R380C6 | INFINEON |
功能相似 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| STB14NM65N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Powe |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R380C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPP65R380E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS E6 Power Transistor |
|
| IPP65R380E6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IPP65R420CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
|
| IPP65R420CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP65R600C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| IPP65R600C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IPP65R600E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS E6 Power Transistor |
|
| IPP65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor |
|
| IPP-7068 | IPP |
获取价格 |
OUTLINE SMD COUPLER, 90 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
