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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 10 weeks |
| 风险等级： | 2.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 77 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 308 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP77N06S212AKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP77N06S3-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPP77N06S309AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80CN10N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP80CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPP80CN10NG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| IPP80CN10NGHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPP80CN10NGXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPP80N03S4L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPP80N03S4L03AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N03S4L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
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