Datasheet > IPP80CN10NGHKSA1

IPP80CN10NGHKSA1

更新时间： 2024-11-27 10:47:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1028K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP80CN10NGHKSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	17 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IPP80CN10NGHKSA1 数据手册

IPB79CN10N G IPD78CN10N G

IPI80CN10N G IPP80CN10N G

OptiMOS^™2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

100

• N-channel, normal level

R_{DS(on),max (TO252)}

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB79CN10N G

IPD78CN10N G

IPI80CN10N G

IPP80CN10N G

Package

Marking

PG-TO263-3

79CN10N

PG-TO252-3

78CN10N

PG-TO262-3

80CN10N

PG-TO220-3

80CN10N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=13 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

-55 ... 175

55/175/56

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

jmax

Rev. 1.091

page 1

2013-07-25

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与IPP80CN10NGHKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP80CN10NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP80N03S4L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP80N03S4L03AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N03S4L-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP80N03S4L04AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N04S2-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP80N04S2-H4	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP80N04S2H4AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP80N04S2L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP80N04S2L03AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPP80CN10NGHKSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP80CN10NGHKSA1

IPP80CN10NGHKSA1 技术参数

IPP80CN10NGHKSA1 数据手册

与IPP80CN10NGHKSA1相关器件

与IPP80CN10NGHKSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP80CN10NGHKSA1

IPP80CN10NGHKSA1 技术参数

IPP80CN10NGHKSA1 数据手册

与IPP80CN10NGHKSA1相关器件

与IPP80CN10NGHKSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？