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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N04S3-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPP80N04S303AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N04S3-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPP80N04S3-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPP80N04S306AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N04S3-H4 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPP80N04S3H4AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N04S4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N04S403AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N04S4-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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