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IPP80N06S207AKSA4

更新时间： 2024-11-23 19:51:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP80N06S207AKSA4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	530 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP80N06S207AKSA4 数据手册

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IPB80N06S2-07

IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

V_DS

Features

6.3

• N-channel - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

PG-TO262-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N06S2-07

IPP80N06S2-07

IPI80N06S2-07

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

PG-TO262-3-1

SP0002-18818

SP0002-18810

SP0002-18817

2N0607

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D= 80 A

320

530

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

250

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2006-03-13

12 3 4 5 6 7 8

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IPP80N06S208AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP80N06S2-09	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
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