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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 1.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0091 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S209AKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S2-H5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPP80N06S2H5AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N06S2L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPP80N06S2L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPP80N06S2L06AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N06S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPP80N06S2L07AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IPP80N06S2L-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPP80N06S2L09AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N06S2L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
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