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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0113 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S2L-11 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPP80N06S2L11AKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N06S2L-H5 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPP80N06S2LH5AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N06S2LH5AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP80N06S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N06S3-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPP80N06S3L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPP80N06S3L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPP80N06S3L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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