5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPP80N06S2L11AKSA1
IPP80N06S2L11AKSA1 PDF预览

IPP80N06S2L11AKSA1

更新时间： 2024-09-28 20:09:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP80N06S2L11AKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0147 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP80N06S2L11AKSA1 数据手册

 浏览型号IPP80N06S2L11AKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP80N06S2L11AKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP80N06S2L11AKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP80N06S2L11AKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP80N06S2L11AKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP80N06S2L11AKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB80N06S2L-11  
IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
55  
10.7  
80  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
R DS(on),max (SMD version)  
mW  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB80N06S2L-11  
IPP80N06S2L-11  
IPI80N06S2L-11  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
PG-TO262-3-1  
SP0002-18177  
SP0002-18175  
SP0002-18176  
2N06L11  
2N06L11  
2N06L11  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, V GS=10 V  
80  
A
T C=100 °C,  
V GS=10 V2)  
58  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
I D=80A  
320  
280  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
158  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... +175  
Rev. 1.1  
page 1  
2010-10-26  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IPP80N06S2L11AKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP80N06S2L-H5 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPP80N06S2LH5AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S2LH5AKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP80N06S3-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP80N06S3-07 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPP80N06S3L-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP80N06S3L-06 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPP80N06S3L-08 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPP80N06S4-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP80N06S4-07 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor

与IPP80N06S2L11AKSA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证