5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.6 | 雪崩能效等级（Eas）： | 152 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP80N06S4L05AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N06S4L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPP80N06S4L07AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPP80N08S207AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP80N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPP80N08S2L-07/SN | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPP80N08S2L07AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPP80P03P3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Power-Transistor |
|
| IPP80P03P4-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
