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IPP80R600P7

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
13页	951K
描述
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。

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IPP80R600P7 数据手册

IPP80R600P7

MOSFET

PG-TOꢀ220

800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

tab

Theꢀlatestꢀ800VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ800V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀDPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀFullyꢀqualifiedꢀacc.ꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2, Tab

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

Gate

Pin 1

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

Source

Pin 3

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLED

Lighting,ꢀlowꢀpowerꢀChargersꢀandꢀAdapters,ꢀAudio,ꢀAUXꢀpowerꢀand

Industrialꢀpower.ꢀAlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀapplications

andꢀSolar.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

800

0.60

Unit

Ω

I_D

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

2.0

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPP80R600P7

PG-TO 220-3

80R600P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-02-13

12 3 4 5 6 7...13

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与IPP80R600P7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPP881N08NG	INFINEON	获取价格	n-channel Power-Transistor
IPP90N04S4-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP90N04S402AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP90N06S4-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP90N06S404AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP90N06S4L-04	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP90N06S4L04AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP90N06S4L04AKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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