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IPP80P04P407XK

更新时间： 2024-11-17 03:40:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP80P04P407XK 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：31 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP80P04P407XK 数据手册

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IPB80P04P4-07  
IPI80P04P4-07, IPP80P04P4-07  
OptiMOS®-P2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
-40  
7.4  
-80  
V
R DS(on) (SMD Version)  
mW  
A
I D  
Features  
• P-channel - Normal Level - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4P0407  
4P0407  
4P0407  
IPB80P04P4-07  
IPI80P04P4-07  
IPP80P04P4-07  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C,  
V GS=-10V  
Continuous drain current1)  
I D  
-80  
A
T C=100°C,  
V GS=-10V2)  
62  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
I AS  
T C=25°C  
-320  
31  
I D=-40A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
-80  
V GS  
P tot  
-
±20  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
88  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2011-02-14  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP80P04P4L-04 INFINEON

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