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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 雪崩能效等级（Eas）： | 331 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0034 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP90N06S4L04XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP90R1K0C3 | INFINEON |
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CoolMOS? Power Transistor |
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| IPP90R1K0C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IPP90R1K2C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
|
| IPP90R1K2C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPP90R1K2C3XKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPP90R340C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
|
| IPP90R340C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPP90R340C3XKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP90R500C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
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