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IPP90N04S402AKSA1

更新时间： 2024-11-05 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP90N04S402AKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：475 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP90N04S402AKSA1 数据手册

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IPB90N04S4-02  
IPI90N04S4-02, IPP90N04S4-02  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
2.1  
90  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4N0402  
4N0402  
4N0402  
IPB90N04S4-02  
IPI90N04S4-02  
IPP90N04S4-02  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
90  
90  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
360  
475  
90  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
-
VGS  
Ptot  
-
±20  
150  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.1  
page 1  
2010-07-01  
1234567...9

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