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IPP90N06S4-04

更新时间: 2024-11-05 05:39:23
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9页 171K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPP90N06S4-04 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81雪崩能效等级(Eas):331 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A
最大漏极电流 (ID):90 A最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP90N06S4-04 数据手册

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IPB90N06S4-04  
IPI90N06S4-04, IPP90N06S4-04  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
3.7  
90  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
m  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4N0604  
4N0604  
4N0604  
IPB90N06S4-04  
IPI90N06S4-04  
IPP90N06S4-04  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
90  
90  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
360  
331  
90  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
-
VGS  
Ptot  
-
±20  
150  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.2  
page 1  
2009-07-01  

IPP90N06S4-04 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPI90N06S4-04 INFINEON

完全替代

OptiMOS-T2 Power-Transistor

与IPP90N06S4-04相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP90N06S404AKSA2 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP90N06S4L-04 INFINEON

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OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP90N06S4L04AKSA1 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP90N06S4L04AKSA2 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP90N06S4L04XK INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP90R1K0C3 INFINEON

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CoolMOS? Power Transistor
IPP90R1K0C3XKSA1 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IPP90R1K2C3 INFINEON

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CoolMOS? Power Transistor
IPP90R1K2C3XKSA1 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP90R1K2C3XKSA2 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor,