5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 雪崩能效等级（Eas）： | 331 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET |
|
| STD86N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET |
|
| STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP90N06S4L04AKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP90N06S4L04AKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP90N06S4L04XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP90R1K0C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
|
| IPP90R1K0C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IPP90R1K2C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
|
| IPP90R1K2C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPP90R1K2C3XKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPP90R340C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS? Power Transistor |
|
| IPP90R340C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
